Easyelectronics.ru

Электроника для всех
Текущее время: 28 апр 2017, 22:58

Часовой пояс: UTC + 5 часов



    • Изготовление печатных плат. Примерные цены: 10 штук 2-слоя 100*100mm 8.21$ или около ~470 рублей
    • Создание принципиальных схем и проектирование печатных плат
    • Симуляция работы на spice моделях
    • Просмотр GERBER файлов

Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 5 ] 
Автор Сообщение
 Заголовок сообщения: MOSFET + диод либо IGBT???
СообщениеДобавлено: 21 мар 2017, 07:57 
Свой человек

Зарегистрирован: 14 авг 2015, 01:51
Сообщения: 55
Приветствую! Товарищи, такой вопрос:
Задача: Управлять катушкой индуктивности (электромагнитная муфта в коробке передач). Сопротивление муфты - 2 Ома. То есть в среднем ток у нас в районе 6 Ампер при питании от 12Вольт. Частота 100-150Гц. Регулировка ШИМ от 0% до 100%

Суть вопроса: Всегда использую связку N-канальный mosfet + диод для защиты от выбросов. А можно использовать мосфет с более высоким напряжением сток-исток. чтобы отказаться от силового диода? И насколько это работоспособный вариант? Просто обычно на всех схемах, диод всегда есть, который идёт параллельно мосфету, чтобы внутренний диод так сказать - не выбило. Я всегда использую мосфеты с напряжение сток - исток 30Вольт.

Вторая часть вопроса - я так понимаю не зря же придумали IGBT транзисторы высоковольтные - а можно ли для этой цели применить IGBT? - то есть для управления муфтой (электромагнитом) с помощью IGBT транзистора. Я так понимаю что в этом случае диод точно не потребуется.


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: MOSFET + диод либо IGBT???
СообщениеДобавлено: 21 мар 2017, 08:31 
Старожил

Зарегистрирован: 19 июн 2012, 14:17
Сообщения: 3407
Энергия запасённая в индуктивности должна куда то деться, иначе выброс самоиндукции может и несколько КВ быть... Выброс надо давить, т.е. или ставить диод параллельно индуктивности или снаббер.

IGBT используются в высоковольтных цепях. Насыщение (VCEsat) у них около 2-2.5В, при среднем токе в 6А это 12-15Вт тепла... А ширпотребный низковольтный полевик, скажем с RDSon=20мОм, будет выделять только 0.72Вт.


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: MOSFET + диод либо IGBT???
СообщениеДобавлено: 21 мар 2017, 08:39 
Свой человек

Зарегистрирован: 14 авг 2015, 01:51
Сообщения: 55
яверт писал(а):
IGBT используются в высоковольтных цепях. Насыщение (VCEsat) у них около 2-2.5В, при среднем токе в 6А это 12-15Вт тепла... А ширпотребный низковольтный полевик, скажем с RDSon=20мОм, будет выделять только 0.72Вт.


Понял, значит N-канальный полевик и диод параллельно ему - наше всё как говорится...Буду выкраивать место на плате (просто ограниченный корпус((( )


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: MOSFET + диод либо IGBT???
СообщениеДобавлено: 21 мар 2017, 10:29 
Старожил

Зарегистрирован: 31 янв 2010, 20:19
Сообщения: 4918
Откуда: Донецк-Мариуполь
Диод - не параллельно транзистору - а параллельно катушке!


Вернуться к началу
 Профиль  
 
 Заголовок сообщения: Re: MOSFET + диод либо IGBT???
СообщениеДобавлено: 21 мар 2017, 13:27 
Старожил
Аватара пользователя

Зарегистрирован: 23 сен 2012, 20:35
Сообщения: 677
kitekat писал(а):
Диод - не параллельно транзистору - а параллельно катушке!

Именно. Если поставить параллельно транзистору, то, во-первых, это не имеет особого смысла (как правило встроенный диод вполне ничего), а во-вторых, ЭДС самоиндукции будет прикладываться к источнику питания. Иногда это приемлемо, но чаще всего - нет.


Вернуться к началу
 Профиль  
 
Показать сообщения за:  Поле сортировки  
Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 5 ] 

Часовой пояс: UTC + 5 часов


Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: vbogom


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Найти:
Перейти:  

Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group
Русская поддержка phpBB