Easyelectronics.ru

Всем привет. Зашел в тупик: устройство, питаться будет от батарейки CR2032 3V, тактирование - внешний кварц 8MHz.
Пишу на асм.
Общий алго программы в словах:
1) ATmega принимает по RFID данные для записи в свой еепром
2) отправляет ответ, в котором принятые данные - подтверждение правильного приема
3) сравнивает с содержимым своего еепром, если различия - переписывает принятыми значениями(запись еепром по прерываниям)
4) отправляет новое обновленное содержимое еепром, вне зависимости обновилось или нет

Всё работало, как надо, пока батарейка была новая ~ 3.2V. Но при снижении уже до 2.98V начало глючить именно на запись еепром.
То есть все пункты 1,2,3,4 работают, но прием и перезапись байта еепром любым новым значением, вместо нужного, ячейка еепром всегда 0xFF.
Не могу отловить в чем засада, думаю, что алгоритм отпадает, а ячейка FF похожа на выполнение только стирания?
WD активен, понимаю, что его интервал зависит от напряжения, но должен наоборот быть больше при меньшем напряжении...

Там ведь запись ячейки еепром происходит в 2 этапа, сначала стирание, а потом запись? Неужели напруги не хватает ? Думал, что уж хотя бы до 2.7V проблем не должно быть, а то и вовсе до 1.8V этот МК должен работать...

Запись еепром тактируется ведь от внутреннего генератора, не может занимать большее время при понижении напряжения ?

- и учитывая погрешность неизвестного измерителя - похоже Вы совсем на пределе ее возможностей

Спасибо за ответ!
Если быть точным, то использую ATmega168PA-AU из Чипа и Дипа. Если верить их описанию к нему, то


Интересно, что более затратно для МК, цикл стирания ячейки еепром или её последующая запись? Но если судить по происходящему, что ячейка становится FF, значит стирание таки проходит...

Гляньте осциллом напряжение питания в момент записи. Скорей всего там просадка, которую в некоторой степени можно уменьшить доп кондером (надеюсь, обвязка МК сделана по докам, а то всякое видели).

Из обвязки питания МК, в связи с питанием только от батарейки, убрал все причитающиеся стандартные ёмкости. На новой батарейке работает отлично, на почти свежей - вышеописанная ситуация. Для эксперимента вернул на место тантал, который всегда вставлю при питании не от батарейки, на ситуацию не повлияло никак.
p.s. отметил дополнительные детали глюков, закралась мысль всё таки на какую-то заковырку в алгоритме, в частности обработчик прерывания готовности еепром. Есть подозрения что косяк мой и программный, и дело не в питании, проверю - отпишусь.

+1 за правильный пинок! Проблема с просадкой напряжения действительно имеет место быть! Я по алгоритму программы я пишу еепром блоками по 4 байта. Поставил 1 танталовый конденсатор, который обычно ставлю на 10мкФ - 1 байт из 4х пишется нормально, остальные нет. Нашел конденсатор на 45мкФ - стало нормально писаться от 2 до 3 байтов из 4 !
Осцил показал:
Просадка во время записи еепром составляет от 500(1 байт) до 900мВ(если писать подряд все 4 байта). Напряжение от изначальных 2.98 вольт падает до 2.0хх! Видимо это предел.
Отсюда вопрос: какой из опыта можно поставить конденсатор максимально на цепь питания?

Задача питаться от элемента CR2020 или CR1620 - больше просто физически не влезет в устройство...
Вопрос остается открытым: на сколько мкФ можно вкорячить конденсатор в цепь питания, для компенсации провалов напряжения при записи еепром? 100мкФ ?

Пока пришло в голову запись еепром не по 4 байта подряд, а как-то разнести по времени и писать 4 раза по 1 байту... От записи 1 байта напруга не успевает просесть до критического уровня... Мозговой штурм продолжается :)

Уменьшить частоту

низя :), итак еле прохожу... Придумал ещё изврат: "раздербанить" запись еепром на 2 этапа: сначала только стирание, а потом отдельно запись...

Керамику ставьте, не тантал. Опытным путем определите необходимую емкость. Может быть и 1 мкФ хватит.
Кондеры в обвязке МК надо ставить всегда, независимо от источника питания.

Очень хорошая статья на тему конденсаторов

Изменение ёмкости керамических конденсаторов от температуры и напряжения, или как ваш конденсатор на 4,7мкФ превращается в 0,33мкФ

А что с BODом ?

Так ребутилось бы, если бы BOD был завышен, не?

BOD не включен, сознательно.

Не ребутится, проблема касается только записи еепром подряд(насколько позволяет готовность самого еепром) более, чем 1 байта.
По крайней мере на текущем напряжении батарейки, возможно, если она просядет с нынешних 2.98 до 2.7, будет проблема с записью и 1 байта...

Спасибо за ссыль, ознакомлюсь подробнее.



А можно обоснование, почему тантал хуже керамики?

А поменять на PV ?
Не...

пошел в Чип и Дип :) сейчас возьму контроллер, который питается только святым духом:), и кондёры керамические, да помясистее, глядишь что-нибудь за уши и вытяну...

Ну и разбивать процесс на несколько этапов по времени, тоже вариант.
Неплохой...

У керамики наименьшее последовательное сопротивление (ESR), поэтому она лучше сглаживает резкие просечки. Поэтому и рекомендуют ее ставить рядом с выводами питания у всех микросхем.

Тантал применяется для сглаживания низкочастотных пульсаций, как и электролит, только не высыхает.

Ок. принято.

Сбегал купил керамические конденсаторы.
Прицепляю 2 скрина осциллограмм, с моментом записи 1ого байта еепром. Atmega168P, питание от батарейки с почти 3V, конденсаторы на 47мкФ танталовый


и керамика 47мкФ.

Так же есть третий скрин, на котором так же запись 1ого байта еепром, поменял контроллер на Atmega168V, условия те же: батарейка ~3V, конденсатор 47мкФ керамика.


Чет грустно стало, разницы какой-то существенной нет, жрет еепром не по детски. Походу не обойтись без разноса во времени записи байтов, т.к. 1 байт в 99.99% случаев пишется успешно. Но! что-то сильно проседает питание и в части работы программы ещё до записи еепром, не фатально конечно, но..... видимо питаться от батарейки тупиковая идея?

Снижайте частоту.

Провалы до записи, полагаю, RFID.
Тот тоже кушает малмал...

У V провал тот же, это норм. Но V при этом должна не сбоить, она ж 1.8.

Мож делать паузу после работы RFIDа...

Ещё. Стесняюсь спросить... :)
Как определял, что тот провал именно в момент работы с EEPROM ?